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| MIT攜手斯坦福打造集成處理器和內(nèi)存的3D芯片 | |
| datetime:2017-07-12 Hits:1569 | |
| 為了追趕摩爾定律，麻省理工與斯坦福兩所大學(xué)的計算機科學(xué)家和電氣工程師們，攜手開發(fā)出了一種集成了內(nèi)存和處理器、并采用碳納米管線來連接的 3D 計算芯片。該團隊制造了一臺小規(guī)模的碳納米管（CNT）計算機，它能夠運行程序、簡單的多任務(wù)操作系統(tǒng)、以及執(zhí)行 MIPS 指令。項目領(lǐng)導(dǎo)人 Max Shulaker 相信，該技術(shù)能夠克服邏輯電路和內(nèi)存之間的通訊瓶頸。 當(dāng)前工程師們所面臨的一個問題，就是日益增長的處理器（或存儲）性能、與不斷往返的大量數(shù)據(jù)傳輸之間的矛盾。即使當(dāng)前最快的 CPU 和 RAM，仍受制于傳統(tǒng)的并行總線架構(gòu)。 而斯坦福/麻省理工研究團隊的 3D 芯片，則交錯布置著邏輯與內(nèi)存層。這項技術(shù)不僅已被證實可行，也從根本上改變了晶體管的裝配方式。 該芯片并未采用硅來制作晶體管，而是石墨烯；更確切的說，其中的碳納米管也是由石墨烯制造的 —— 它們被稱作“碳納米管場效應(yīng)晶體管”（CNFET），且在芯片上提供了邏輯層。 處理器上的其它層是“可變電阻式內(nèi)存”（RRAM），它通過改變固體介質(zhì)材料的電阻來工作。研究合著者 H.-S. Philip Wong 表示：“與 DRAM 相比，RRAM 的密度、速度和能效都可以更高”。 |
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